MSCSM120VR1M31C1AG
SIC 2N-CH 1200V 89A
部件编号:
MSCSM120VR1M31C1AG
制造商:
Roving Networks (Microchip Technology)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
SIC 2N-CH 1200V 89A
RoHS:
YES
MSCSM120VR1M31C1AG 规格
安装类型:
Chassis Mount
包装/箱:
Module
工作温度:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology:
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200V (1.2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
31mOhm @ 40A, 20V
配置:
2 N Channel (Phase Leg)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
89A (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.8V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
232nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3020pF @ 1000V
Power - Max:
395W (Tc)
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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