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MSCSM120HRM311AG

SIC 4N-CH 1200V/700V 89A/124A

Numéro de pièce：

MSCSM120HRM311AG

Fabricant：

Roving Networks (Microchip Technology)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

SIC 4N-CH 1200V/700V 89A/124A

RoHS：

NO

：

MSCSM120HRM311AG

MSCSM120HRM311AG Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Colis/Caisse：

Module

Température de fonctionnement：

-40°C ~ 175°C (TJ)

Technology：

Silicon Carbide (SiC)

Configuration：

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

1200V (1.2kV), 700V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

89A (Tc), 124A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

232nC @ 20V, 215nC @ 20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V

Power - Max：

395W (Tc), 365W (Tc)

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