MSCSM120VR1M11CT6AG

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MSCSM120VR1M11CT6AG

SIC 2N-CH 1200V 251A

Numéro de pièce：

MSCSM120VR1M11CT6AG

Fabricant：

Roving Networks (Microchip Technology)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

SIC 2N-CH 1200V 251A

RoHS：

YES

：

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MSCSM120VR1M11CT6AG Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Colis/Caisse：

Module

Température de fonctionnement：

-40°C ~ 175°C (TJ)

Technology：

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

1200V (1.2kV)

Configuration：

2 N Channel (Phase Leg)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.8V @ 9mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

251A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

10.4mOhm @ 120A, 20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

696nC @ 20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

9000pF @ 1000V

Power - Max：

1.042kW (Tc)

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