MSCSM170HRM11NG

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MSCSM170HRM11NG

SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A

Numéro de pièce：

MSCSM170HRM11NG

Fabricant：

Roving Networks (Microchip Technology)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A

RoHS：

NO

：

MSCSM170HRM11NG

MSCSM170HRM11NG Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Colis/Caisse：

Module

Température de fonctionnement：

-40°C ~ 175°C (TJ)

Technology：

Silicon Carbide (SiC)

Configuration：

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

226A (Tc), 163A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

712nC @ 20V, 464nC @ 20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V

Power - Max：

1.012kW (Tc), 662W (Tc)

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