MSCSM120VR1M11CT6AG
MOSFET 2N-CH 1200V 251A
MSCSM120VR1M11CT6AG Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
تكوين：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
10.4mOhm @ 120A, 20V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
696nC @ 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.8V @ 9mA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
251A (Tc)
الطاقة - الحد الأقصى：
1.042kW (Tc)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
9000pF @ 1000V
