MSCSM120X10CTYZBNMG
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
MSCSM120X10CTYZBNMG Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
Module
تكوين：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
28A (Tc), 49A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
64nC @ 20V, 137nC @ 20V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V
الطاقة - الحد الأقصى：
116W (Tc), 196W (Tc)
