MSCSM120HRM08NG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
MSCSM120HRM08NG Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
تكوين：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
317A (Tc), 227A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
928nC @ 20V, 430nC @ 20V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
الطاقة - الحد الأقصى：
1.253kW (Tc), 613W (Tc)
