MSCSM120VR1M062CT6AG
MOSFET 2N-CH 1200V 420A
MSCSM120VR1M062CT6AG Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
420A (Tc)
تكوين：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 200A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.8V @ 15mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1160nC @ 20V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
15100pF @ 1000V
الطاقة - الحد الأقصى：
1.753kW (Tc)
