MSCSM120DDUM31TBL2NG
MOSFET 4N-CH 1200V 79A
MSCSM120DDUM31TBL2NG Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
Module
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
232nC @ 20V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
3020pF @ 1000V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.8V @ 3mA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
79A
الطاقة - الحد الأقصى：
310W
تكوين：
4 N-Channel, Common Source
