1011GN-2200VP
RF MOSFET HEMT 50V
1011GN-2200VP 规格
零件状态：
Active
供应商器件封装：
-
额定电流（安培）：
-
封装 / 外壳：
Module
噪声系数：
-
额定电压：
150 V
电压 - 测试：
50 V
频率：
1.03GHz ~ 1.09GHz
电流 - 测试：
300 mA
增益：
19.4dB
技术：
HEMT
功率 - 输出：
2200W
