射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管

描述
RF MOSFET (VDMOS) PUSH-PULL HYBR
数量
描述
RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30
数量
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RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30
数量
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DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
数量
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DC-12 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT
数量
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DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT
数量
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DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT
数量
描述
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
数量
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RF MOSFET HEMT 50V 55-KR
数量
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RF MOSFET HEMT 52V 14DFN
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RF MOSFET (VDMOS) PUSH-PULL HYBR
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RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30
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RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30
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DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
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DC-12 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT
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DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT
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DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT
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DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
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RF MOSFET HEMT 50V 55-KR
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RF MOSFET HEMT 52V 14DFN
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