MSCSM170HRM11NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
Номер компонента:
MSCSM170HRM11NG
Производитель:
Roving Networks (Microchip Technology)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
РОХС:
NO
MSCSM170HRM11NG Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Пакет/кейс:
Module
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology:
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация:
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Drain to Source Voltage (Vdss):
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
226A (Tc), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
712nC @ 20V, 464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
Power - Max:
1.012kW (Tc), 662W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
730.52
730.52
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.