MSCSM120VR1M11CT6AG
SIC 2N-CH 1200V 251A
Номер компонента:
MSCSM120VR1M11CT6AG
Производитель:
Roving Networks (Microchip Technology)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
SIC 2N-CH 1200V 251A
РОХС:
YES
MSCSM120VR1M11CT6AG Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Пакет/кейс:
Module
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology:
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200V (1.2kV)
Конфигурация:
2 N Channel (Phase Leg)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.8V @ 9mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
251A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.4mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
696nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9000pF @ 1000V
Power - Max:
1.042kW (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
626.84
626.84
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.