2N3250AUB/TR
SMALL-SIGNAL BJT
部品番号:
2N3250AUB/TR
製造元:
Roving Networks (Microchip Technology)
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >
説明:
SMALL-SIGNAL BJT
RoHS の:
NO
2N3250AUB/TR 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
トランジスタの種類:
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大):
200 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大):
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
500mV @ 5mA, 50mA
動作温度:
-65°C ~ 200°C (TJ)
パッケージ・ケース:
3-SMD, No Lead
サプライヤーデバイスパッケージ:
UB
パワー - 最大:
360 mW
Current - Collector Cutoff (Max):
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 1V
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メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:1600
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