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2N2605UB/TR

SMALL-SIGNAL BJT

部品番号：

2N2605UB/TR

製造元：

Roving Networks (Microchip Technology)

カテゴリ：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >

説明：

SMALL-SIGNAL BJT

RoHS の：

：

2N2605UB/TR 2N2605UB/TR

2N2605UB/TR 仕様

取付タイプ：

Surface Mount

パワー - 最大：

400 mW

トランジスタの種類：

PNP

電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)：

60 V

動作温度：

-65°C ~ 200°C (TJ)

パッケージ・ケース：

3-SMD, No Lead

サプライヤーデバイスパッケージ：

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：

300mV @ 500µA, 10mA

電流 - コレクタ (Ic) (最大)：

30 mA

Current - Collector Cutoff (Max)：

10nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：

150 @ 500µA, 5V

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