ICPB2002-1-110I

DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT

ICPB2002-1-110I
Numéro de pièce :
ICPB2002-1-110I
Fabricant :
Microchip Technology
Category:
FETs RF, MOSFETs
Description :
DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
0

ICPB2002-1-110I Specifications

Statut de la pièce:
Active
Type de montage:
Surface Mount
Courant nominal (A):
1A
Configuration:
-
Figure de Bruit:
-
Boîtier:
Die
Fournisseur Dispositif Emballage:
Die
Tension nominale:
28 V
Gain:
10dB
Tension - Test:
28 V
Puissance - Sortie:
12W
Fréquence:
12GHz
Courant - Test:
125 mA
Technologie:
GaN HEMT

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