ICPB1020-1-110I

DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT

ICPB1020-1-110I
Numéro de pièce :
ICPB1020-1-110I
Fabricant :
Microchip Technology
Category:
FETs RF, MOSFETs
Description :
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
0

ICPB1020-1-110I Specifications

Statut de la pièce:
Active
Type de montage:
Surface Mount
Configuration:
-
Courant nominal (A):
8A
Figure de Bruit:
-
Boîtier:
Die
Fournisseur Dispositif Emballage:
Die
Tension nominale:
28 V
Tension - Test:
28 V
Courant - Test:
1 A
Puissance - Sortie:
100W
Gain:
7.4dB
Technologie:
GaN HEMT
Fréquence:
14GHz

Products You May Be Interested In