MSCSM120HRM08NG

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MSCSM120HRM08NG

SIC 4N-CH 1200V/700V 317A

Número de pieza：

MSCSM120HRM08NG

Fabricante：

Roving Networks (Microchip Technology)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Descripción：

SIC 4N-CH 1200V/700V 317A

RoHS：

NO

：

MSCSM120HRM08NG

MSCSM120HRM08NG Especificaciones

Tipo de montaje：

Chassis Mount

Paquete / Estuche：

Module

Temperatura de funcionamiento：

-40°C ~ 175°C (TJ)

Technology：

Silicon Carbide (SiC)

Configuración：

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

1200V (1.2kV), 700V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

317A (Tc), 227A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

928nC @ 20V, 430nC @ 20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V

Power - Max：

1.253kW (Tc), 613W (Tc)

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