MSCSM120HRM163AG
SIC 4N-CH 1200V/700V 173A
Número de pieza:
MSCSM120HRM163AG
Fabricante:
Roving Networks (Microchip Technology)
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Descripción:
SIC 4N-CH 1200V/700V 173A
RoHS:
NO
MSCSM120HRM163AG Especificaciones
Tipo de montaje:
Chassis Mount
Paquete / Estuche:
Module
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology:
Silicon Carbide (SiC)
Configuración:
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200V (1.2kV), 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
173A (Tc), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 80A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
2.8V @ 6mA, 2.4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
464nC, 215nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6040pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
Power - Max:
745W (Tc), 365W (Tc)
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
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