MX2N5116UB
JFET P-CH 30V UB
MX2N5116UB 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
最大功率：
500 mW
场效应晶体管类型：
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)：
30 V
等级：
Military
工作温度：
-65°C ~ 200°C (TJ)
封装 / 外壳：
3-SMD, No Lead
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：
30 V
漏极电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0)：
5 mA @ 15 V
电压 - 截止 (VGS关断) @ Id：
1 V @ 1 nA
认证：
MIL-PRF-19500
供应商器件封装：
UB
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
27pF @ 15V
电阻 - 导通电阻 (RDS(On))：
175 Ohms
