APTGX100A120T1G
PM-IGBT-TFS-SP1F
APTGX100A120T1G 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
封装 / 外壳：
Module
IGBT类型：
-
电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）：
1200 V
配置：
Half Bridge
Input：
Standard
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC热敏电阻：
Yes
集电极电流（Ic）（最大值）：
155 A
最大功率：
416 W
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic：
1.8V @ 15V, 100A
集电极截止电流（最大值）：
15 µA
输入电容（Cies）@ Vce：
20000 pF @ 25 V
