ICPB1020-1-110I
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
Номер компонента:
ICPB1020-1-110I
Альтернативные модели:
CLF3H0060-30U
Производитель:
Roving Networks (Microchip Technology)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > RF FETs, MOSFETs >
Описание:
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
РОХС:
YES
ICPB1020-1-110I Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Напряжение - номинальное:
28 V
Текущий рейтинг (А):
8A
Пакет/кейс:
Die
Пакет устройств поставщика:
Die
Напряжение - Тест:
28 V
Текущий — Тест:
1 A
Выходная мощность:
100W
Technology:
GaN HEMT
Прирост:
7.4dB
Частота:
14GHz
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.