2N3250AUB/TR
SMALL-SIGNAL BJT
Номер компонента:
2N3250AUB/TR
Производитель:
Roving Networks (Microchip Technology)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >
Описание:
SMALL-SIGNAL BJT
РОХС:
NO
2N3250AUB/TR Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
PNP
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
200 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
500mV @ 5mA, 50mA
Рабочая Температура:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Пакет/кейс:
3-SMD, No Lead
Пакет устройств поставщика:
UB
Мощность - Макс.:
360 mW
Current - Collector Cutoff (Max):
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 1V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
100
33.62
3362
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.