MX2N5114UB
JFET P-CH 30V UB
MX2N5114UB Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Мощность - Максимальная：
500 mW
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30 V
Класс：
Military
Рабочая температура：
-65°C ~ 200°C (TJ)
Корпус：
3-SMD, No Lead
Напряжение - Пробой (V(BR)GSS)：
30 V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id：
5 V @ 1 nA
Сопротивление - RDS(вкл)：
75 Ohms
Квалификация：
MIL-PRF-19500
Поставщик Устройство Корпус：
UB
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
25pF @ 15V
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0)：
30 mA @ 18 V
