MV2N5115
JFET P-CH 30V TO18
MV2N5115 Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Статус детали：
Active
Мощность - Максимальная：
500 mW
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Корпус：
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30 V
Класс：
Military
Рабочая температура：
-65°C ~ 200°C (TJ)
Напряжение - Пробой (V(BR)GSS)：
30 V
Сопротивление - RDS(вкл)：
100 Ohms
Квалификация：
MIL-PRF-19500
Поставщик Устройство Корпус：
TO-18 (TO-206AA)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id：
3 V @ 1 nA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
25pF @ 15V
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0)：
15 mA @ 15 V
