2N5116UA
JFET P-CH 30V UA
2N5116UA Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Мощность - Максимальная：
500 mW
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30 V
Корпус：
4-SMD, No Lead
Рабочая температура：
-65°C ~ 200°C (TJ)
Напряжение - Пробой (V(BR)GSS)：
30 V
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0)：
5 mA @ 15 V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id：
1 V @ 1 nA
Поставщик Устройство Корпус：
UA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
27pF @ 15V
Сопротивление - RDS(вкл)：
175 Ohms
