MSCSM170HRM11NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
부품 번호:
MSCSM170HRM11NG
제조업체:
Roving Networks (Microchip Technology)
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
설명:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
RoHS는:
NO
MSCSM170HRM11NG 사양
장착 유형:
Chassis Mount
패키지/케이스:
Module
작동 온도:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology:
Silicon Carbide (SiC)
구성:
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Drain to Source Voltage (Vdss):
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
226A (Tc), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(일)(최대) @ Id:
3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
712nC @ 20V, 464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
Power - Max:
1.012kW (Tc), 662W (Tc)
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:1600
수량
단가
국제 가격
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