1011GN-125E
RF MOSFET HEMT 50V 55-QQ
1011GN-125E Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
전류 정격 (암페어)：
-
노이즈 피겨：
-
전류 - 테스트：
60 mA
정격 전압：
125 V
전압 - 테스트：
50 V
주파수：
1.03GHz ~ 1.09GHz
파워 - 출력：
150W
기술：
HEMT
게인：
18.75dB
패키지 / 케이스：
55-QQ
공급업체 장치 패키지：
55-QQ
