ICPB1020-1-110I

DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT

ICPB1020-1-110I
部品番号:
ICPB1020-1-110I
製造業者:
Microchip Technology
Category:
RF FET、MOSFET
説明:
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
0

ICPB1020-1-110I Specifications

部品ステータス:
Active
実装タイプ:
Surface Mount
コンフィギュレーション:
-
定格電流(アンペア):
8A
ノイズ指数:
-
パッケージ / ケース:
Die
サプライヤーデバイスパッケージ:
Die
定格電圧:
28 V
電圧テスト:
28 V
電流 - テスト:
1 A
パワー - 出力:
100W
ゲイン:
7.4dB
テクノロジー:
GaN HEMT
周波数:
14GHz

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