MQ2N5116UB
JFET P-CH 30V UB
MQ2N5116UB Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Puissance - Max：
500 mW
Type de FET：
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)：
30 V
Grade：
Military
Température de fonctionnement：
-65°C ~ 200°C (TJ)
Boîtier：
3-SMD, No Lead
Tension de claquage (V(BR)GSS)：
30 V
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)：
5 mA @ 15 V
Tension de blocage (VGS off) @ Id：
1 V @ 1 nA
Qualification：
MIL-PRF-19500
Fournisseur Dispositif Emballage：
UB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
27pF @ 15V
Résistance - RDS(On)：
175 Ohms
