APT25GP120BSC15

IGBT PT MOS 7 SIC COMBI 1200 V 2

APT25GP120BSC15
Numéro de pièce :
APT25GP120BSC15
Fabricant :
Microchip Technology
Category:
IGBTs simples
Description :
IGBT PT MOS 7 SIC COMBI 1200 V 2
RoHS:
YES
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
60

APT25GP120BSC15 Specifications

Type de montage:
Through Hole
Statut de la pièce:
Active
Grade:
-
Qualification:
-
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier:
TO-247-3
输入类型:
Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max):
1200 V
Charge de grille:
110 nC
Fournisseur Dispositif Emballage:
TO-247-3
Type d'IGBT:
PT
Condition de test:
600V, 25A, 5Ohm, 15V
Courant - Collecteur Pulsé (Icm):
90 A
Courant - Collecteur (Ic) (Max):
69 A
Puissance - Max:
417 W
Td (on/off) @ 25°C:
12ns/70ns
Énergie de Commutation:
560µJ (on), 440µJ (off)

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