ICPB1010-1-110I
DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT
رقم الجزء:
ICPB1010-1-110I
صانع:
Roving Networks (Microchip Technology)
تصنيف .:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > RF FETs, MOSFETs >
وصف:
DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT
روهس:
YES
ICPB1010-1-110I مواصفة
نوع التركيب:
Surface Mount
الجهد - تصنيف:
28 V
التصنيف الحالي (أمبير):
4A
الحزمة / القضية:
Die
حزمة جهاز المورد:
Die
الجهد - الاختبار:
28 V
الاختبار الحالي:
500 mA
Technology:
GaN HEMT
مخرج قوي:
50W
تكرار:
14GHz
يكسب:
6.1dB
استفسار سريع
الشركة المصنعة القياسية التسليم:غير محدد
معيار كمية التعبئة والتغليف:1600
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار الدولية
نصيحة => يرجى ملء النموذج أدناه . سوف نتصل بك في أقرب وقت ممكن .
اسم الشركة:
من فضلك أدخلاسم الشركة
اسم:
من فضلك أدخلاسم
تلفون .:
من فضلك أدخلتلفون .
صندوق البريد:
من فضلك أدخلصندوق البريد
الكمية:
من فضلك أدخلالكمية
وصف:
من فضلك أدخلوصف
رمز التحقق:
الرجاء إدخال رمز التحقق