MX2N5115UB
JFET P-CH 30V UB
MX2N5115UB Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
الطاقة - الحد الأقصى：
500 mW
نوع FET：
P-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30 V
الصف：
Military
درجة حرارة التشغيل：
-65°C ~ 200°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
3-SMD, No Lead
الجهد - الانهيار (V(BR)GSS)：
30 V
المقاومة - RDS(On)：
100 Ohms
التأهيل：
MIL-PRF-19500
المورد الجهاز الحزمة：
UB
الجهد - القطع (VGS off) @ Id：
3 V @ 1 nA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
25pF @ 15V
التيار - المصرف (Idss) @ Vds (Vgs=0)：
15 mA @ 15 V
