APTGX50TA120T3AG
PM-IGBT-TFS-SP3F
APTGX50TA120T3AG Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
الحزمة / العلبة：
Module
نوع IGBT：
-
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)：
1200 V
المدخلات：
Standard
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC)：
Yes
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic：
1.8V @ 15V, 50A
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى)：
10 µA
تكوين：
Three Phase
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)：
108 A
السعة المدخلة (Cies) عند Vce：
11100 pF @ 25 V
الطاقة - الحد الأقصى：
377 W
