APTGX200H120G
PM-IGBT-TFS-SP6C
APTGX200H120G Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
الحزمة / العلبة：
Module
نوع IGBT：
-
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)：
1200 V
المدخلات：
Standard
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC)：
No
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكوين：
Full Bridge
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)：
280 A
الطاقة - الحد الأقصى：
682 W
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى)：
15 µA
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic：
1.8V @ 15V, 200A
السعة المدخلة (Cies) عند Vce：
40000 pF @ 25 V
