2N3507
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
部件编号:
2N3507
替代型号:
2N4150,IRF4905PBF,1SMB5931B-13,1N5711
制造商:
Roving Networks (Microchip Technology)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >
描述:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
RoHS:
NO
2N3507 规格
安装类型:
Through Hole
功率 - 最大:
1 W
晶体管类型:
NPN
集电极电流 (Ic)(最大):
3 A
工作温度:
-65°C ~ 200°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿(最大):
50 V
Current - Collector Cutoff (Max):
1µA
包装/箱:
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1.5V @ 250mA, 2.5A
供应商设备包:
TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
35 @ 500mA, 1V
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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