Roving Networks (Microchip Technology)
1N5812R
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5812R 规格
速度：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
20A
Operating Temperature - Junction：
-65°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)（最大）：
50 V
Reverse Recovery Time (trr)：
35 ns
安装类型：
Stud Mount
电流 - 反向漏电流@Vr：
10 µA @ 50 V
包装/箱：
DO-203AA, DO-4, Stud
Technology：
Standard, Reverse Polarity
供应商设备包：
DO-203AA (DO-4)
电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If：
950 mV @ 20 A
Capacitance @ Vr, F：
300pF @ 10V, 1MHz
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