2N3507L
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Номер компонента:
2N3507L
Производитель:
Roving Networks (Microchip Technology)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >
Описание:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
РОХС:
NO
2N3507L Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Мощность - Макс.:
1 W
Тип транзистора:
NPN
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
3 A
Рабочая Температура:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
50 V
Current - Collector Cutoff (Max):
1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1.5V @ 250mA, 2.5A
Пакет/кейс:
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика:
TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
35 @ 500mA, 1V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.