2N3507

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2N3507

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

부품 번호：

2N3507

대체 모델：

2N4150,IRF4905PBF,1SMB5931B-13,1N5711

제조업체：

Roving Networks (Microchip Technology)

범주：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >

설명：

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

RoHS는：

：

2N3507 2N3507 2N3507 2N3507

2N3507 사양

장착 유형：

Through Hole

전력 - 최대：

1 W

트랜지스터 유형：

NPN

전류 - 컬렉터(Ic)(최대)：

3 A

작동 온도：

-65°C ~ 200°C (TJ)

전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)：

50 V

Current - Collector Cutoff (Max)：

1µA

패키지/케이스：

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：

1.5V @ 250mA, 2.5A

공급자 장치 패키지：

TO-39

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：

35 @ 500mA, 1V

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