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トップページ > 製品分類 > 分類リスト > 製品の詳細
2N5793
NPN TRANSISTOR
部品番号：
2N5793
製造元：
Roving Networks (Microchip Technology)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Bipolar Transistor Arrays >
説明：
NPN TRANSISTOR
RoHS の：
NO
：
2N5793     2N5793     2N5793     2N5793     2N5793    
2N5793 仕様
取付タイプ：
Through Hole
動作温度：
-65°C ~ 200°C
Current - Collector (Ic) (Max)：
600mA
Power - Max：
500mW
Current - Collector Cutoff (Max)：
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
40 @ 150mA, 10V
トランジスタの種類：
2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：
40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
900mV @ 30mA, 300mA
パッケージ・ケース：
TO-78-6 Metal Can
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-78-6
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