2N3585
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
部品番号:
2N3585
製造元:
Roving Networks (Microchip Technology)
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >
説明:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
RoHS の:
NO
2N3585 仕様
取付タイプ:
Through Hole
パワー - 最大:
2.5 W
トランジスタの種類:
NPN
動作温度:
-65°C ~ 200°C (TJ)
電流 - コレクタ (Ic) (最大):
2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大):
300 V
パッケージ・ケース:
TO-213AA, TO-66-2
サプライヤーデバイスパッケージ:
TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector Cutoff (Max):
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
40 @ 100mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
750mV @ 125mA, 1A
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標準包装数量:1600
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