Roving Networks (Microchip Technology)
2N3507
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Numéro de pièce：
2N3507
Modèles alternatifs：
2N4150,IRF4905PBF,1SMB5931B-13,1N5711
Fabricant：
Roving Networks (Microchip Technology)
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
Bipolar (BJT) >
Single Bipolar Transistors >
Description：
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
RoHS：
NO
2N3507 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Puissance - Max：
1 W
Type de transistor：
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
3 A
Température de fonctionnement：
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
50 V
Current - Collector Cutoff (Max)：
1µA
Colis/Caisse：
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
1.5V @ 250mA, 2.5A
Package d'appareil du fournisseur：
TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
35 @ 500mA, 1V
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