2N3507AL

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2N3507AL

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

Número de pieza：

2N3507AL

Fabricante：

Roving Networks (Microchip Technology)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > Bipolar (BJT) > Single Bipolar Transistors >

Descripción：

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

RoHS：

：

2N3507AL 2N3507AL 2N3507AL 2N3507AL 2N3507AL

2N3507AL Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Potencia - Máx.：

1 W

Tipo de transistor：

NPN

Corriente - Colector (Ic) (Max)：

3 A

Temperatura de funcionamiento：

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：

50 V

Current - Collector Cutoff (Max)：

1µA

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：

1.5V @ 250mA, 2.5A

Paquete / Estuche：

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-5AA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：

35 @ 500mA, 1V

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